Разработиха първото руско оборудване за отглеждане на полупроводникови кристали
Руски учени и инженери от НИИТМ, Научно-технически център по микроелектроника на Руската академия на науките (РАН) и компанията „Софт-Импакт“ са разработили и произвели първото в Русия индустриално оборудване „ЕПИФАЗ ТМ 200“ за отглеждане на кристали или епитаксия на галиев нитрид върху силициеви пластини.
Това е един от ключовите етапи в създаването на компонентна база за силова и микровълнова микроелектроника. Той позволява формирането на основата на микрочип върху субстрат, след което процесите на ецване, отлагане, метализиране, нанасяне на покритие, рязане и опаковане се извършват в други инсталации.
Новото руско оборудване дава възможност за получаване на структури върху субстрати с диаметър до 200 mm.
„При денонощна работа машината може да произвежда до 2 хиляди пластини годишно, тоест около шест на ден. Това обаче е доста, тъй като върху една пластина може да се съберат до няколко десетки хиляди транзистори“, каза за „Известия“ Дмитрий Пугачов, ръководител на лабораторията за разработване на епитаксиално оборудване в НИИТМ.
Той поясни, че такова оборудване сега се създава само от компании в Германия, САЩ и Япония. В Русия серийното производство на такива промишлени инсталации е планирано да започне през 2025 г.
